Elindult az EPC Epower IC IC család a nagy sűrűségű számításhoz

Az EPC2152 egy chip-illesztőprogram és eGaN fet fél-híd teljesítményfokozat, saját szabadalmaztatott GaN technológiával.

A bemeneti logikai interfész, a szintváltás, a bootstrap töltés és a kapumeghajtó pufferáramkörök, valamint a félhídként konfigurált eGaN kimeneti FET-ek integrálva vannak a monolitikus chipbe. Ennek eredményeként egy chip-skála LGA forma tényezőt kapunk, melynek mérete csak 3,9 × 2,6 × 0,63 mm.

48 V – 12 V-os átalakítón 1MHz kapcsolási frekvencián működtetve az EPC2152 Epower Stage maximális hatékonyságát 96% -kal éri el.

Az EPC2152 az integrált energiaellátási fokozatok tervezett családjának első kínálata, amely chip-méretű csomagban, valamint multi-chip quad lapos modulokban kapható. A cég szerint a családot olyan termékekkel kívánja kitölteni, amelyek képesek akár 3-5MHz frekvenciatartományban, akár 15-30A-os áramokonként teljesítményfokonként működni.

Az EPC90120 fejlesztőlap egy 80 V maximális eszközfeszültség, 12,5 A maximális kimeneti áram, félhíd az EPC2152 integrált Epower fokozattal. Ezt az 50,8 × 50,8 mm-es kártyát a kapcsolási teljesítményre tervezték, és az EPC2152 integrált Epower színpad értékeléséhez szükséges komponenseket tartalmazza.

Az eszközök azonnali szállításra rendelkezésre állnak a Digi-Key-től

„Diszkrét teljesítménytranzisztorok lépnek be az utolsó fejezetbe. Az integrált GaN-on-Silicon nagyobb teljesítményt nyújt kisebb lábnyomban, jelentősen csökkentett mérnöki követelményekkel ”- mondta Alex Lidow, az EPC vezérigazgatója és alapítója.

„Ez az új integrált teljesítményfokozat a következő jelentős szakasz a GaN energiaátalakításának fejlődésében, a diszkrét eszközök integrálásától az összetettebb megoldásokig, amelyek a szilikonmegoldások képességein túlmutató áramköri teljesítményt nyújtanak, és megkönnyítik az energiarendszerek tervezését. mérnökök”